自1986年起長期從事電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的教學(xué)與研究工作，側(cè)重于電力電子器件及其應(yīng)用的基礎(chǔ)研究和新技術(shù)開發(fā)。近年來，以寬禁帶半導(dǎo)體SiC電力電子器件的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造為主要方向，自主研發(fā)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管，代工流片已實(shí)現(xiàn)了650V/50A和1200V/30A兩種產(chǎn)品的試制；SiC-GTO、SiC光控晶閘管的設(shè)計(jì)和試制等。與企業(yè)合作開展了Si-IGBT與SiC-SBD的混合模塊和全SiC功率MOS與SBD模塊及其驅(qū)動(dòng)電路的研發(fā)工作。

研究方向：

1. 新型半導(dǎo)體材料與器件

2.SiC材料、SiC電力電子器件及其模塊的設(shè)計(jì)制造。

獲獎(jiǎng)情況：
科研上先后承擔(dān)過國家“863”項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金、中國博士后基金、教育部博士點(diǎn)基金、國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金、省部級(jí)科技創(chuàng)新項(xiàng)目、企業(yè)委托項(xiàng)目30余項(xiàng)。發(fā)表科研論文80篇，其中被SCI、EI等檢索收錄70篇；獲原機(jī)械部、國土資源部、陜西省人民政府、西安市人民政府和陜西省教育廳等科技進(jìn)步獎(jiǎng)6項(xiàng)；獲批專利12項(xiàng)。
現(xiàn)擔(dān)任中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)理事、?？茖W(xué)研究專門委員會(huì)委員、院級(jí)學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、?！靶滦碗娏﹄娮优c功率集成工程技術(shù)中心”主任、《Chin. Phys. Lett.》、《Chin. Phys. B》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》、《高電壓技術(shù)》、ELSEVIER系列期刊特約審稿人。